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金年會體育-三星24Gb GDDR7 DRAM獲韓國“總統(tǒng)獎” 被英偉達采用
2026-01-06

【jinnianhui.com科技消息】jinnianhui.com從韓媒獲悉,三星于12月3日宣布,其12納米級24Gb(3GB)GDDR7 DRAM產(chǎn)品榮獲了“2025年韓國技術(shù)大獎”的總統(tǒng)獎。這標志著該產(chǎn)品對國家產(chǎn)業(yè)競爭力所作出的貢獻,作為未來戰(zhàn)略技術(shù)獲得了官方認可。

三星三星

據(jù)悉,這款24Gb GDDR7 DRAM是三星于去年10月完成開發(fā)的產(chǎn)品。它采用第五代(1b)10納米級工藝,即約12納米的半導(dǎo)體電路線寬(節(jié)點)進行生產(chǎn)。該產(chǎn)品應(yīng)用了脈沖幅度調(diào)制(PAM3)信號方式,實現(xiàn)了業(yè)界最高的每秒40吉比特(Gbps)數(shù)據(jù)傳輸速率,根據(jù)使用環(huán)境最高可支持42.5Gbps。PAM3方式以-1、0、1三個階段表示數(shù)據(jù),每個時鐘周期可傳輸1.5比特數(shù)據(jù),比普通的二進制數(shù)字信號方式快50%。

三星24Gb GDDR7 DRAM獲韓國“總統(tǒng)獎” 被英偉達采用

在產(chǎn)品設(shè)計中,三星還應(yīng)用了時鐘控制技術(shù)和電源雙重化設(shè)計。時鐘控制技術(shù)讓電路僅在需要時運作,減少了不必要的功耗。電源雙重化設(shè)計則可在DRAM低速運行時降低外部電壓或在芯片內(nèi)部生成較低電壓,從而降低晶體管的工作電壓和電流,實現(xiàn)功耗最小化。此外,產(chǎn)品也采用了在高速運行時能最大限度減少漏電流的電源門控設(shè)計技術(shù)。

GDDR是用于顯卡和游戲機等設(shè)備中圖形處理器(GPU)的內(nèi)存,近來也用于人工智能(AI)運算。三星評價稱,GDDR7相比高帶寬內(nèi)存(HBM)具有成本和能效優(yōu)勢,隨著AI市場的競爭轉(zhuǎn)向降低推理成本,GDDR7的價值正日益增大。該公司還強調(diào),其GDDR7產(chǎn)品具有高溫操作穩(wěn)定性和可靠性,正被應(yīng)用于下一代服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心。

值得注意的是,英偉達去年9月發(fā)布的AI推理專用GPU“Rubin CPX”就搭載了128GB的GDDR7內(nèi)存。三星預(yù)計,隨著圖形密集型工作的增加,對高性能、高容量GDDR7的需求將會增長,并表示將通過確保良率和供應(yīng)穩(wěn)定性,加強與英偉達的合作以強化市場主導(dǎo)權(quán)。

三星24Gb GDDR7 DRAM獲韓國“總統(tǒng)獎” 被英偉達采用

此前,KB證券曾在去年9月預(yù)測,三星對英偉達GDDR7內(nèi)存的獨家供應(yīng)地位將暫時維持,并且英偉達已向三星請求擴大GDDR7供應(yīng),預(yù)計平澤生產(chǎn)線的產(chǎn)能將擴大一倍以上。該機構(gòu)分析認為,GDDR7未來將改善三星DRAM業(yè)務(wù)的盈利能力。

據(jù)悉,三星也正在準備推出用于Compute Express Link(CXL)3.1標準的內(nèi)存模塊DRAM(CMM-D)。

-金年會體育